11月27日下午，物联网工程学院在312会议室继续举办了第七期“物博科研交流”活动。本期讲座由博士教师杨阳主讲，报告题目为《径向形变与栅极氧化层对碳纳米管场效应

晶体管电学传输特性的影响》。活动现场学术氛围浓厚，吸引了学院多位教师积极参与。

杨阳博士为集成电路专业教师，长期从事缺陷调控半导体的电学、光学和磁学性质研究，在自旋电子学器件、碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）等新型器件电学输运性能研究方面具有丰富经验。

在本次报告中，杨阳博士先是介绍了碳纳米管场效应晶体管的研究背景。CNTFET相较于传统的硅基场效应晶体管，展现出了一系列优越性，包括卓越的电子性能、热导性、力学强度、高频响应能力以及机械灵活性等。这些特性使得CNTFET在柔性电子器件、高功率和高频电子设备等领域具有巨大的应用潜力，被认为是最有希望延续甚至超越硅基晶体管摩尔定律的技术路径之一。碳基电子技术是我国“十四五”规划中集成电路自主化的重点方向，但碳基芯片的实验和理论研究还处于起步阶段，许多重要的基础问题尚待解决。围绕这一问题，杨博士主要介绍了近期发表的工作：“Influence of Radial Deformation and Gate Oxide Layer on Electrical Transport in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors”。从计算方法出发，介绍了如何用非平衡格林函数法结合第一性原理建立界面输运和全CNTFET器件模型，计算出器件的J-V曲线和电导率等电学特性，还主要考虑了纳米管的径向形变对输运性质的影响。

在展望未来研究方向时，CNTFET因其卓越的电学性能、潜在的超低功耗引起了与会老师的关注。同时，该计算程序包后续还可以应用在其它新型半导体器件的输运性质模拟上。与会教师围绕如何设计新型半导体器件、如何促进半导体器件模拟与器件生产制备深层次融合以及半导体器件模拟的人工智能化展开了深入的探讨，各位老师交换意见，现场思维碰撞不断，产生了具有实践价值的建议和后续研究思路。

本次“物博科研交流”活动不仅为学院教师搭建了高水平的学术对话平台，也有效促进了集成电路领域与电信、通信、人工智能交叉领域的研究互动。与会教师纷纷表示，此次报告内容前沿、逻辑严谨，极大拓展了对新型半导体器件的认知与理解，为今后的学科交叉合作提供了新思路。